BAS316/DG/B3,115

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功能描述
DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
停產
二极管类型
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
100V
电流 - 平均整流（Io）
250mA（DC）
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.25V @ 150mA
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）
4ns
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 80V
不同?Vr，F 时的电容
1.5pF @ 0V，1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
TO-236AB
工作温度 - 结
150°C（最大）
标准包装
3,000

BAS316/DG/B3,115 技术参数

BAS316,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 BAS316,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS316 标准包装:1 BAS316,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS316 标准包装:1 BAS316 RRG 功能描述:DIODE GEN PURP 250MA SOD323 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:30nA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS31_D87Z 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 120V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:120V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 90V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BAS321/8F BAS321/8X BAS321/ZLF BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115 BAS32L,135 BAS33-TAP BAS34-TAP BAS34-TR BAS35 BAS35,215 BAS381-TR BAS381-TR3 BAS382-TR BAS382-TR3 BAS383-TR BAS383-TR3