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BAS40/DG

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  • BAS40/DG/B3R
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:王女士

    电话:13969210552

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

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  • NEXPERIA

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  • BAS40/DG/B2
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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

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  • SOT-23

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  • BAS40/DG/B2
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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BAS40/DG 技术参数
  • BAS40,235 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):120mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 工作温度 - 结:150°C(最大) 基本零件编号:BAS40 标准包装:1 BAS40,215 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):120mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 工作温度 - 结:150°C(最大) 基本零件编号:BAS40 标准包装:1 BAS40 RFG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 BAS386-TR3 功能描述:Diode Schottky 50V 200mA Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 供应商器件封装:MicroMELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:10,000 BAS386-TR 功能描述:Diode Standard 50V 200mA Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:880pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 供应商器件封装:MicroMELF 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002LE6327XTMA1 BAS4002S02LRHE6327XTSA1 BAS40-02V-V-G-08 BAS40-04 RFG BAS40-04,215 BAS40-04,235 BAS40-04/ZLR BAS40-04/ZLVL BAS40-04-7 BAS40-04-7-F BAS40-04-E3-08 BAS40-04-E3-18 BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6433HTMA1 BAS40-04-G3-08 BAS40-04-G3-18 BAS40-04-HE3-08
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