BAS40LP-7DIDDES

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BAS40LP-7DIDDES 技术参数

BAS40LP-7B 功能描述:DIODE SCHTKY 40V 200MA X1DFN1006 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 40mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:2.3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-UFDFN 供应商器件封装:X1-DFN1006-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 BAS40LP-7 功能描述:Diode Schottky 40V 200mA (DC) Surface Mount 2-DFN1006 (1.0x0.6) 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-UFDFN 供应商器件封装:2-DFN1006（1.0x0.6）工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 BAS40L,315 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:120mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS40L 标准包装:1 BAS40HMFHT116 功能描述:AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:120mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SSD3 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 BAS40H,115 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:120mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS40H 标准包装:1 BAS40TW-7 BAS40TW-7-F BAS40TW-TP BAS40V-7 BAS40V-TP BAS40W,115 BAS40W-04-7 BAS40W-04-7-F BAS40W-05-7 BAS40W-05-7-F BAS40W-06-7 BAS40W-06-7-F BAS40W-7 BAS40W-7-F BAS40WT-TP BAS40XY,115 BAS416,115 BAS416F