BAV199/ZLVL

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封装
批号
价格
说明
操作

BAV199/ZLVL
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
NXP USA Inc.
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

BAV199/ZLVL
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：18998919871
地址：深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602
1000
NXP USA Inc.
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
DIODE ARRAY GEN PURP 75V SOT23
制造商
nxp usa inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
二极管配置
1 对串联
二极管类型
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
75V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）
160mA（DC）
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.25V @ 150mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）
3μs
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5nA @ 75V
工作温度 - 结
150°C（最大）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
TO-236AB（SOT23）
标准包装
10,000

BAV199/ZLVL 技术参数

BAV199/ZLR 功能描述:DIODE ARRAY GEN PURP 75V SOT23 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:160mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:3,000 BAV199,235 功能描述:DIODE ARRAY GP 75V 160MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:160mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BAV199 标准包装:1 BAV199,215 功能描述:DIODE ARRAY GP 75V 160MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:160mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BAV199 标准包装:1 BAV199 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 85V 140mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:140mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BAV19_T50R 功能描述:Diode Standard 120V 200mA Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:120V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 BAV199LT1G BAV199Q-13-F BAV199Q-7-F BAV199T-7 BAV199T-7-F BAV199-TP BAV199W,115 BAV199W-7 BAV199WQ-7 BAV199WT-TP BAV19-TAP BAV19TR BAV19-TR BAV19W RHG BAV19W-7 BAV19W-7-F BAV19W-E3-08 BAV19W-E3-18