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BBY5102WH6327XTSA1

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Diode VAR Cap Single 7V 5.05pF 2-Pin SCD-80 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • RF DIODES - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • DIODE TUNING 7V 20MA SCD80
BBY5102WH6327XTSA1 技术参数
  • BBY5102VH6327XTSA1 功能描述:DIODE TUNING 2SC79 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 不同?Vr,F 时的电容:3.7pF @ 4V,1MHz 电容比:2.2 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向(最大值):7V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标准包装:1 BBY40TA 功能描述:DIODE VARI CAP 28V 330MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 不同?Vr,F 时的电容:6pF @ 25V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件:C3/C25 电压 - 峰值反向(最大值):28V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BBY40,235 功能描述:DIODE VHF VAR CAP 30V SOT23 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 不同?Vr,F 时的电容:6pF @ 25V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件:C3/C25 电压 - 峰值反向(最大值):30V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:BBY40 标准包装:1 BBY40,215 功能描述:DIODE VHF VAR CAP 30V SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 不同?Vr,F 时的电容:6pF @ 25V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件:C3/C25 电压 - 峰值反向(最大值):30V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 BBY31,215 功能描述:DIODE UHF VAR CAP 30V SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 28V,1MHz 电容比:8.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向(最大值):30V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 BBY5305WH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502WH6327XTSA1 BBY5503WE6327HTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602WH6327XTSA1 BBY5603WE6327HTSA1 BBY5702VH6327XTSA1 BBY5702WH6327XTSA1 BBY5705WE6327HTSA1 BBY5705WH6327XTSA1 BBY5802VH6327XTSA1 BBY5802WE6127XT BBY5802WH6327XTSA1 BBY5803WE6327HTSA1 BBY5805WE6327BTSA1 BBY5805WH6327XTSA1 BBY5806WE6327BTSA1
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