BC646MBL001

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BC646MBL001 技术参数

BC640ZL1G 功能描述:TRANS PNP 80V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC640ZL1 功能描述:TRANS PNP 80V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC640TFR 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC640TF 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC640TAR 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC69PASX BC6-Q308-02 BC6-Q308-03 BC6-Q308-06 BC6-Q308-10 BC6-Q308-13 BC6-Q408-10 BC6-Q408-14 BC-6SE005M BC-6SE010M BC-6SE020M BC-6SE030M BC-6SE050M BC-6SG005M BC-6SG010M BC-6SG020M BC-6SG030M BC-6SG050M