您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

BC847BPDXV6T5G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BC847BPDXV6T5G
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
ON
SOT-563
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

1/1页 40条/页共4条
1

您是不是要找： BC847BPN,115 BC847BPN,125 BC847BPN,135 BC847BPN,165 BC847BPN/DG/B2,115 BC847BQAZ BC847BS BC847BS,115 BC847BS,135

BC847BPDXV6T5G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BC847BPDXV6T5G PDF下载

功能描述
两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual Complementary
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BC847BPDXV6T5G 技术参数

BC847BPDXV6T1G 功能描述:TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:357mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 BC847BPDXV6T1 功能描述:TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:4,000 BC847BPDW1T3G 功能描述:TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:10,000 BC847BPDW1T2G 功能描述:TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:1 BC847BPDW1T1G 功能描述:TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:1 BC847BS/DG/B2,115 BC847BS-7-F BC847BS-TP BC847BT TR BC847BT,115 BC847BT116 BC847BT-7 BC847BT-7-F BC847B-TP BC847BTT1 BC847BTT1G BC847BT-TP BC847BV,115 BC847BV,315 BC847BV-7 BC847BVC-7 BC847BVN,115 BC847BVN-7