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BC847BT-1FS

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BC847BT-1FS 技术参数
  • BC847BT116 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SST3 标准包装:1 BC847BT,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 BC847BT TR 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 BC847BS-TP 功能描述:TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):110 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BC847BS-7-F 功能描述:TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BC847BVC-7 BC847BVN,115 BC847BVN-7 BC847BV-TP BC847BW RFG BC847BW,115 BC847BW,135 BC847BW/ZLF BC847BW/ZLX BC847BW-7-F BC847BWE6327BTSA1 BC847BWE6433HTMA1 BC847BWH6327XTSA1 BC847BWH6433XTMA1 BC847BWT1G BC847BW-TP BC847C RFG BC847C,215
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