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BC848AW RFG

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功能描述
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 110A
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
30V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
110 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商器件封装
SOT-323
标准包装
3,000

BC848AW RFG 技术参数

BC848A-TP 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BC848AMTF 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BC848ALT1G 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BC848ALT1 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BC848AE6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BC848BL3E6327XTMA1 BC848BLT1 BC848BLT1G BC848BLT3G BC848BMTF BC848BT116 BC848B-TP BC848BW RFG BC848BW-7-F BC848BWE6327BTSA1 BC848BWH6327XTSA1 BC848BWT1 BC848BWT106 BC848BWT1G BC848C RFG BC848C-7-F BC848CDW1T1G BC848CDXV6T1G