BC856ASQ-7-F

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说明
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BC856ASQ-7-F
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
78000
DIODES INC.
价格优势
2421
-
全新原装渠道现货

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功能描述
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
制造商
diodes incorporated
系列
汽车级，AEC-Q101
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
65V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
15nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
125 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
标准包装
3,000

BC856ASQ-7-F 技术参数

BC856AS-7 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BC856AMTF 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BC856ALT3G 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BC856ALT3 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:3,000 BC856ALT1G 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BC856B/DG/B3,215 BC856B/DG/B3,235 BC856B-13-F BC856B-7-F BC856BDW1T1 BC856BDW1T1G BC856BDW1T3G BC856B-HF BC856BLT1 BC856BLT1G BC856BLT3 BC856BLT3G BC856BM3T5G BC856BMBYL BC856BMTF BC856BM-TP BC856BMYL BC856BS,115