BC857BV 115

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BC857BV 115
深圳市华创欧科技有限公司
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深圳市杰世特电子有限公司
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BC857BV 115 技术参数

BC857BTT1G 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SC-75-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75，SOT-416 标准包装:1 BC857BTT1 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-416 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75，SOT-416 标准包装:3,000 BC857B-TP 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BC857BT-7-F 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 BC857BT-7 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 BC857BW-G BC857BWH6327XTSA1 BC857BWH6778XTSA1 BC857BWT1 BC857BWT1G BC857C RFG BC857C TR BC857C,215 BC857C,235 BC857C/DG/B3,215 BC857C-7-F BC857CB5003XT BC857CDW1T1 BC857CDW1T1G BC857CE6327HTSA1 BC857CE6433HTMA1 BC857C-HF BC857CLT1