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BC857SE6327BTSA1

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    BC857SE6327BTSA1

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-363
BC857SE6327BTSA1 技术参数
  • BC857S 功能描述:TRANS 2PNP 45V 0.2A SC70-6 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 BC857RAZ 功能描述:BC857RA/SOT1268/DFN1412-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:325mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1412-6 标准包装:1 BC857QASZ 功能描述:TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 2mA,5V 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 BC857QASX 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件状态:有效 标准包装:5,000 BC857CWT1G 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:1 BC858A RFG BC858A-7-F BC858AE6327HTSA1 BC858A-HF BC858ALT1 BC858ALT1G BC858AMTF BC858AW-7-F BC858AW-G BC858AWT1 BC858AWT1G BC858B RFG BC858B,215 BC858B,235 BC858B-7-F BC858BE6327HTSA1 BC858BE6433HTMA1 BC858B-HF
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