BC859CW,135全国供应商 BC859CW,135资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
操作

BC859CW,135
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-323
18+
-
TRANS PNP 30V 0.1A S...

BC859CW,135
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)
刚到货
-
代理可含税开票

BC859CW,135
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Philips Semiconducto
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

BC859CW,135
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NEXPERIA
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BC859CW,135
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

BC859CW,135
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
60000
NEX
ORIGONAL
16+
-
0.01416 USD,szpoweri...

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功能描述
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BC859CW,135 技术参数

BC859CW,115 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:BC859 标准包装:1 BC859CMTF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BC859CLT1G 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:3,000 BC859CLT1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:3,000 BC859CE6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:上次购买时间晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BC860BWE6327HTSA1 BC860BWH6327XTSA1 BC860C,215 BC860C,235 BC860CB5003XT BC860CE6359HTMA1 BC860CW,115 BC860CW,135 BC860CW/ZLF BC860CW/ZLX BC860CWE6327HTSA1 BC860CWH6327XTSA1 BC868,115 BC868-25,115 BC868TA BC869,115 BC869,135 BC869-16,115