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BCP51 MOS(场效应管)

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  • BCP51 MOS(场效应管)
    BCP51 MOS(场效应管)

    BCP51 MOS(场效应管)

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-83795896

    地址:深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 25200

  • NEXPERIA/安世

  • 21+原厂授权

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  • ★原厂授权★价超代理★

  • BCP51 MOS(场效应管)
    BCP51 MOS(场效应管)

    BCP51 MOS(场效应管)

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 90000

  • NXP/恩智浦

  • SOT223

  • 21+原装

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BCP51 MOS(场效应管) 技术参数
  • BCP51 功能描述:TRANS PNP 45V 1.5A SOT-223 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223-4 标准包装:1 BCP49H6419XTMA1 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BCP49H6359XTMA1 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:4,000 BCP49H6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BCP49E6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BCP5116TA BCP51-16-TP BCP51E6327HTSA1 BCP51H6327XTSA1 BCP51TA BCP52 BCP52,135 BCP52-10,135 BCP5210TA BCP52-16 BCP52-16,115 BCP5216E6327HTSA1 BCP5216H6327XTSA1 BCP5216TA BCP52TA BCP53 BCP53,115 BCP53-10,115
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