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BCR 199T E6327

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说明
操作

BCR 199T E6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
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功能描述
TRANSISTOR PNP DGTL AF SC-75
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列
-
标准包装
10,000
系列
-
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
47k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
频率 - 转换
100MHz
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商设备封装
PG-SOT323-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000756242

BCR 199T E6327 技术参数

BCR 199L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 199F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 198T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 198L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 198F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR08AM-12A#B00 BCR08AM-12A-TB#B00 BCR08AM-14A#B00 BCR08AM-14A#FD0 BCR08AM-14A-A6#B00 BCR08AS-12AT14#B11 BCR08DS-14AT13#B10 BCR08DS-14AT13#BD0 BCR08ES-14A#B10 BCR08PNB6327XT BCR08PNE6327BTSA1 BCR08PNE6433HTMA1 BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6433XTMA1 BCR08PNH6727XTSA1 BCR10001FMAHWS BCR10001FMAHWT BCR1000BFMAHWS