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BCR03AM-12

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • TO-220

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BCR03AM-12 技术参数
  • BCR 569 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:330mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BCR 519 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:100MHz 功率 - 最大值:330mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BCR 512 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:100MHz 功率 - 最大值:330mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BCR 503 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:100MHz 功率 - 最大值:330mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BCR 48PN H6727 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70mA,100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47k,2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:100MHz,200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR08PNB6327XT BCR08PNE6327BTSA1 BCR08PNE6433HTMA1 BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6433XTMA1 BCR08PNH6727XTSA1 BCR10001FMAHWS BCR10001FMAHWT BCR1000BFMAHWS BCR1000BFMAHWT BCR108E6327HTSA1 BCR108E6433HTMA1 BCR108SE6327BTSA1 BCR108SE6433HTMA1 BCR108SH6327XTSA1 BCR108SH6433XTMA1 BCR108WE6327BTSA1 BCR108WH6327XTSA1
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