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BCR112W E6327

配单专家企业名单
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  • BCR112W E6327
    BCR112W E6327

    BCR112W E6327

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 18290

  • Infineon/英飞凌

  • SOT-323

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • BCR112W E6327
    BCR112W E6327

    BCR112W E6327

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • INFINEON

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!!

  • BCR112W E6327
    BCR112W E6327

    BCR112W E6327

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 250000

  • infineon

  • sot-343

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • BCR112W E6327
    BCR112W E6327

    BCR112W E6327

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 15000

  • INFINEON

  • SOT323

  • 05rohs

  • -
  • 全新原装现货

  • BCR112W E6327
    BCR112W E6327

    BCR112W E6327

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • INFINEON

  • SOT-343

  • 06+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

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  • 1
BCR112W E6327 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
BCR112W E6327 技术参数
  • BCR112E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:140MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BCR10PNH6730XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:10,000 BCR10PNH6727XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR10PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BCR10PNE6327BTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR119E6327HTSA1 BCR119SE6327BTSA1 BCR119SE6433HTMA1 BCR119SH6327XTSA1 BCR119SH6433XTMA1 BCR119WE6327HTSA1 BCR119WH6327XTSA1 BCR129E6327HTSA1 BCR129SE6327HTSA1 BCR129SH6327XTSA1 BCR129WE6327HTSA1 BCR129WH6327XTSA1 BCR12CM-12LB#BB0 BCR12CM-16LB#BB0 BCR12CM-16LH#BB0 BCR12CS-12LB#B00 BCR12CS-12LBT1#BH0 BCR12FM-12LB#BB0
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