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BCR166E-6327

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    BCR166E-6327

    BCR166E-6327

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SIEMENS/西门子

  • SOT23-3

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

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BCR166E-6327 技术参数
  • BCR166B6327HTLA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:160MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BCR162E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BCR158WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR158WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR158E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BCR16CM-12LB#BB0 BCR16CM-12LC#BB0 BCR16CM-16LB#BB0 BCR16CM-16LH#BB0 BCR16CS-16LB#B00 BCR16CS-16LBT1#BH0 BCR16FM-14LB#FA0 BCR16FM-14LJ#BB0 BCR16FR-12LB#BB0 BCR16LM-16LH-1#B00 BCR16PM-12LG#B00 BCR16PM-16LH-1#B00 BCR16PM-16LH-1#C0A BCR16RM-12LB#B00 BCR183E6327HTSA1 BCR183E6359HTMA1 BCR183E6433HTMA1 BCR183SE6327BTSA1
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