BCW60CTI

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BCW60CTI 技术参数

BCW60CT116 功能描述:TRANS NPN 32V 0.2A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:260 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SST3 标准包装:3,000 BCW60CE6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BCW60C,235 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BCW60C,215 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 BCW60C 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BCW61B,215 BCW61BE6327HTSA1 BCW61BMTF BCW61C,215 BCW61C,235 BCW61CE6327HTSA1 BCW61CMTF BCW61CT116 BCW61D,215 BCW61DE6327HTSA1 BCW61DMTF BCW61DTA BCW65ALT1 BCW65ALT1G BCW65CLT1 BCW65CLT1G BCW66FR BCW66FVL