BD140B

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BD140B 技术参数

BD1406STU 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD1406S 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD14016STU 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A TO126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD14016S 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD140-16 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2V，150MA 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32 标准包装:50 BD150SD4BL1200 BD156 BD157STU BD158 BD158STU BD159 BD159G BD159STU BD15GA3MEFJ-LBH2 BD15GA3MEFJ-ME2 BD15GA3WEFJ-E2 BD15GA5MEFJ-LBH2 BD15GA5MEFJ-ME2 BD15GA5WEFJ-E2 BD15GC0MEFJ-LBH2 BD15GC0MEFJ-ME2 BD15GC0WEFJ-E2 BD15HA3MEFJ-ME2