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BD538.

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BD538. 技术参数
  • BD537KTU 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 BD537K 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,200 BD537J 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,200 BD537 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 600mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):15 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BD536J 功能描述:TRANS PNP 60V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 600mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,200 BD540A-S BD540B-S BD540C-S BD5413EFV-E2 BD5423AEFS-E2 BD5423EFS-E2 BD5423MUV-E2 BD5424EFS-E2 BD5426EFS-E2 BD5426MUV-E2 BD5427EFS-E2 BD5427MUV-E2 BD5431EFS-E2 BD543B-S BD543C-S BD5444EFV-E2 BD5445EFV-E2 BD5446EFV-E2
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