BD7901PT6HIFN

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BD7901PT6HIFN 技术参数

BD788G 功能描述:TRANS PNP 60V 4A TO-225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 800mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，3V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD7881GU-E2 功能描述:IC XENON TUBE DVR CELL VCSPH3 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件状态:有效标准包装:2,500 BD788 功能描述:TRANS PNP 60V 4A TO-225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 800mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，3V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD787G 功能描述:TRANS NPN 60V 4A TO-225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 800mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，3V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD787 功能描述:TRANS NPN 60V 4A TO-225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 800mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，3V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD7962FM-E2 BD7964FS-E2 BD7967EFS-E2 BD7996EFV-E2 BD7998EFS-E2 BD7F100EFJ-LBE2 BD7F100HFN-EVK-001 BD7F100HFN-LBTR BD7F200EFJ-LBE2 BD7F200HFN-LBTR BD809G BD80C0AFP2-CE2 BD80C0AFP-CE2 BD80C0AFPS-E2 BD80C0AWFP-CE2 BD80GA3MEFJ-LBH2 BD80GA3MEFJ-ME2 BD80GA3WEFJ-E2