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BDR-65

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BDR-65 技术参数
  • BDP954H6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP 100V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BDP954E6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP 100V 3A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BDP953H6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN 100V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BDP953E6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 100V 3A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BDP950H6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP 60V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BDS220 BDS240 BDS250 BDS265 BDS280 BDS28045 BDS290 BDS2A100100KJ BDS2A100100RJ BDS2A100100RK BDS2A10010KK BDS2A10010RK BDS2A100150RK BDS2A10015RK BDS2A1001K0K BDS2A1001M0J BDS2A100220RK BDS2A10022RK
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