BDX54C-S

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功能描述
达林顿晶体管 100V 8A PNP
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—基极电压 VCBO
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-18
封装
Reel

BDX54C-S 技术参数

BDX54CG 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:65W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BDX54C 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 BDX54BTU 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 BDX54B-S 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:15,000 BDX54BG 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:65W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BDZW3 BDZW30 BDZW5 BDZW9 BDZW95 BDZX108 BDZX167 BDZX190 BDZX204 BDZX71 BDZX73 BDZX74 BE 12 BE 30 BE 60 BE 9 BE05-1A66-P BE05-1A85-P