BF 752 H6327

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功能描述
射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
M/A-COM Technology Solutions
配置
Single
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
最大工作频率
30 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最大直流电集电极电流
功率耗散
250 W
封装 / 箱体
Case 211-11
封装
Tray

BF 752 H6327 技术参数

BF 5030R E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT143R-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:N 通道频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:3V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:SOT-143R 供应商器件封装:PG-SOT143R-4 标准包装:3,000 BF 5030 E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:N 通道频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:3V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:3,000 BF 5020R E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 5V 10mA 800MHz 26dB PG-SOT143R-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:N 通道频率:800MHz 增益:26dB 电压 - 测试:5V 额定电流:25mA 噪声系数:1.2dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:SOT-143R 供应商器件封装:PG-SOT143R-4 标准包装:3,000 BF 5020 E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 5V 10mA 800MHz 26dB PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:N 通道频率:800MHz 增益:26dB 电压 - 测试:5V 额定电流:25mA 噪声系数:1.2dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:3,000 BF 2040 E6814 功能描述:RF Mosfet N-Channel 5V 15mA 800MHz 23dB PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:800MHz 增益:23dB 电压 - 测试:5V 额定电流:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:1 BF014D0104K BF014D0104MDC BF014D0122J BF014D0122K BF014D0123J BF014D0123K BF014D0124J BF014D0124K-- BF014D0152J BF014D0152K BF014D0153J BF014D0153K BF014D0154J BF014D0154K BF014D0182J BF014D0182K BF014D0183J BF014D0183K