BF2520-E2R4CAB

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说明
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BF2520-E2R4CABT/LF
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
ACX
2520C
15+
-
原装正品，假一罚十

BF2520-E2R4CABT/LF
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ACX
SMD
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

BF2520-E2R4CABT/LF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ACX
2520C
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BF2520-E2R4CABT/LF
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ACX
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

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您是不是要找： BF256A BF256AG BF256B BF256B_J35Z BF256C BF256C_J35Z BF259 BF26180-24B BF26188-20B

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BF2520-E2R4CAB 技术参数

BF247A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF247A 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF246B_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246B 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 30V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF26214-20B BF26230-24B BF26240-24B BF26250-24B BF26285-20B BF26318-20B BF26360-20B BF26409-31B BF2661-24B BF2698-20B BF2930 BF2F BF2G BF2M-C BF2M-M BF2M-M0 BF-3 BF3/RC