BF4MC-6GTXRX-B1-1M

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BF4MC-6GTXRX-B1-1M 技术参数

BF494_D74Z 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF494_D27Z 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF494 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF493SG 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:5,000 BF493S 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:5,000 BF5020WE6327HTSA1 BF5020WH6327XTSA1 BF5030WE6327HTSA1 BF5030WH6327XTSA1 BF510,215 BF511,215 BF5118-20B BF512,215 BF512,235 BF513,215 BF5165-20B BF517E6327HTSA1 BF5200-20B BF-541A/B BF-541A/KOEM BF545A,215 BF545B,215 BF545C,215