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BFG410W/CA

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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BFG410W/CA 技术参数
  • BFG410W,135 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 12mA 22GHz 54mW Surface Mount CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):4.5V 频率 - 跃迁:22GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:21dB 功率 - 最大值:54mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:10,000 BFG410W,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):4.5V 频率 - 跃迁:22GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:21dB 功率 - 最大值:54mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG403W,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 17GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):4.5V 频率 - 跃迁:17GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:20dB ~ 22dB 功率 - 最大值:16mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 3mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3.6mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG35,115 功能描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):18V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):25 @ 100mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFG325W/XR,115 功能描述:TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 2GHz 增益:18.3dB 功率 - 最大值:210mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG520,215 BFG520,235 BFG520/X,215 BFG520/X,235 BFG520/XR,215 BFG520/XR,235 BFG520W,115 BFG520W/X,115 BFG540,215 BFG540/X,215 BFG540/XR,215 BFG540W,115 BFG540W/X,115 BFG540W/XR,135 BFG541,115 BFG590,215 BFG590/X,215 BFG591,115
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