BFG505W+X

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BFG505W+X 技术参数

BFG505/X,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:18mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:10,000 BFG505/X,215 功能描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:18mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BFG505,215 功能描述:RF Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:18mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:3,000 BFG480W,135 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 250mA 21GHz 360mW Surface Mount CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:360mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 80mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:10,000 BFG480W,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:360mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 80mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG540/X,215 BFG540/XR,215 BFG540W,115 BFG540W/X,115 BFG540W/XR,135 BFG541,115 BFG590,215 BFG590/X,215 BFG591,115 BFG67,215 BFG67,235 BFG67/X,215 BFG92A/X,215 BFG93A,215 BFG93A/X,215 BFG94,115 BFG97,115 BFG97,135