BFL4007-1E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BFL4007-1E
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
O
TO-220F
22+
-
十年配单，只做原装

BFL4007-1E
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
TO-220F-3FS
17+
-
全新原装现货

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack
制造商
ON Semiconductor
功能描述
FNFLD / NCH 10V DRIVE SERIES

BFL4007-1E 技术参数

BFL4007 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:680 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 BFL4004-1E 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 3.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:710pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 BFL4004 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 3.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:710pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 BFL4001-1E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 欧姆 @ 3.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG 标准包装:50 BFL4001 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 欧姆 @ 3.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 BFM-1A-05E BFM-1A-12 BFM-1A-12C BFM-1A-12CW BFM-1A-12E BFM-1C-05 BFM-1C-05C BFM-1C-05CW BFM-1C-05E BFM-1C-12 BFM-1C-12C BFM-1C-12CW BFM-1C-12E BFM505,115 BFM520,115 BFN 19 E6327 BFN.1F.100.PCSG BFN.2F.100.PCSG