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BFP 182W H6327

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

BFP 182W H6327
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
PG-SOT343-4
刚到货
-
代理可含税开票

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功能描述
射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

BFP 182W H6327 技术参数

BFP 182 E7764 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:1 BFP 181 E7764 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB ~ 21dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:1 BFN39H6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP 300V 0.2A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BFN39E6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP 300V 0.2A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BFN38H6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN 300V 0.2A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BFP 620F E7764 BFP 640 H6433 BFP 640FESD E6327 BFP 650F E6327 BFP 720F E6327 BFP 720FESD E6327 BFP 740F E6327 BFP 740FESD E6327 BFP-127111-10-9 BFP181E7764HTSA1 BFP182RE7764HTSA1 BFP182WE6327HTSA1 BFP182WH6327XTSA1 BFP183E7764HTSA1 BFP183WE6327BTSA1 BFP183WH6327XTSA1 BFP193E6327HTSA1 BFP193WE6327HTSA1