BFR 181 E6780

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BFR 181 E6780
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BFR 181 E6780
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
17+
-
全新原装现货

BFR 181 E6780
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BFR 181 E6780
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

BFR 181 E6780
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
-
代理直销！进口原装正品！

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BFR 181T E6327 BFR 181W E6327 BFR 182 B6663 BFR 182 E6327 BFR 182T E6327 BFR 182W E6327 BFR 183 E6327 BFR 183T E6327 BFR 183W E6327

BFR 181 E6780 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BFR 181 E6780 PDF下载

功能描述
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

BFR 181 E6780 技术参数

BFR 181 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BFR 106 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 210mA 5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:210mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BFQ790H6327XTSA1 功能描述:RF BIP TRANSISTORS 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6.1V 频率 - 跃迁:1.85GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.6dB @ 1.8GHz 增益:17dB 功率 - 最大值:1.5W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 250mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 BFQ67W,135 功能描述:RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:10,000 BFQ67W,115 功能描述:TRANS NPN 10V 20MA 8GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327