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BFR 182T E6327

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  • BFR 182T E6327
    BFR 182T E6327

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • BFR 182T E6327
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  • 功能描述
  • TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
  • -
  • 产品变化通告
  • Product Discontinuation 17/Dec/2010
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 4.7V
  • 频率 - 转换
  • 47GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)
  • 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
  • 增益
  • 9dB ~ 31dB
  • 功率 - 最大
  • 160mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 160 @ 25mA,3V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 45mA
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 4-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装
  • 4-TSFP
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 其它名称
  • BFP 740FESD E6327DKR
BFR 182T E6327 技术参数
  • BFR 182 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BFR 182 B6663 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BFR 181W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BFR 181T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BFR 181 E6780 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215
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