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BFR 340T E6327

配单专家企业名单
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  • BFR 340T E6327
    BFR 340T E6327

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
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    联系人:陈小姐

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
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    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 功能描述
  • TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
  • -
  • 产品变化通告
  • Product Discontinuation 17/Dec/2010
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 4.7V
  • 频率 - 转换
  • 47GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)
  • 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
  • 增益
  • 9dB ~ 31dB
  • 功率 - 最大
  • 160mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 160 @ 25mA,3V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 45mA
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 4-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装
  • 4-TSFP
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 其它名称
  • BFP 740FESD E6327DKR
BFR 340T E6327 技术参数
  • BFR 193W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BFR 193L3 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12.5dB ~ 19dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:1 BFR 193 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10dB ~ 15dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BFR 183W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BFR 183T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 15mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1 BFR10SL3P1 BFR10SL3S1 BFR10SL4P1 BFR10SL4S1 BFR12S3P1 BFR12SA10P1 BFR14S-1P-1
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