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BFR579R

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BFR579R 技术参数

BFR540,235 功能描述:TRANS NPN 15V 120MA 9GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFR540,215 功能描述:TRANS NPN 120MA 15V 9GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFR520T,115 功能描述:TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 BFR520,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BFR520,215 功能描述:TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFR92AW,115 BFR92AW,135 BFR92PE6327HTSA1 BFR92WH6327XTSA1 BFR93A,215 BFR93A,235 BFR93AE6327HTSA1 BFR93AR,215 BFR93AW,115 BFR93AW,135 BFR93AWH6327XTSA1 BFR94A,215 BFR94AW,115 BFS 17P E6433 BFS 360L6 E6327 BFS 380L6 E6327 BFS 386L6 E6327 BFS 460L6 E6327