BFS 481 H6327

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BFS 481 H6327
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
Infineon Technologies
TRANS RF NPN 12V 20M
23+
-
原装现货欢迎来电查询！

BFS 481 H6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
29835
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BFS 481 H6327
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
SOT363-6
刚到货
-
代理可含税开票

BFS 481 H6327
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

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功能描述
射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
M/A-COM Technology Solutions
配置
Single
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
最大工作频率
30 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最大直流电集电极电流
功率耗散
250 W
封装 / 箱体
Case 211-11
封装
Tray

BFS 481 H6327 技术参数

BFS 481 E6327 功能描述:RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT363-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 NPN（双）电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BFS 469L6 E6327 功能描述:RF Transistor 2 NPN (Dual) 5V, 10V 50mA, 70mA 22GHz, 9GHz 200mW, 250mW Surface Mount PG-TSLP-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:2 NPN（双）电压 - 集射极击穿（最大值）:5V，10V 频率 - 跃迁:22GHz，9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:14.5dB 功率 - 最大值:200mW，250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 20mA，3V / 100 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA，70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-6 标准包装:15,000 BFS 466L6 E6327 功能描述:RF Transistor 2 NPN (Dual) 5V, 9V 50mA, 35mA 22GHz, 14GHz 200mW, 210mW Surface Mount PG-TSLP-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:2 NPN（双）电压 - 集射极击穿（最大值）:5V，9V 频率 - 跃迁:22GHz，14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:12dB ~ 17dB 功率 - 最大值:200mW，210mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，3V / 90 @ 15mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA，35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-6 标准包装:15,000 BFS 460L6 E6327 功能描述:RF Transistor 2 NPN (Dual) 5.8V 50mA 22GHz 200mW Surface Mount PG-TSLP-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:2 NPN（双）电压 - 集射极击穿（最大值）:5.8V 频率 - 跃迁:22GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:10dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-6 标准包装:15,000 BFS 386L6 E6327 功能描述:RF Transistor 2 NPN (Dual) 6V 35mA, 80mA 14GHz 210mW, 380mW Surface Mount PG-TSLP-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:2 NPN（双）电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:10dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值:210mW，380mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，3V / 60 @ 40mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA，80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-6 标准包装:15,000 BFS17NQTA BFS17NTA BFS17PE6327HTSA1 BFS17SE6327HTSA1 BFS17SH6327XTSA1 BFS17TA BFS17W,115 BFS17W,135 BFS17WE6327HTSA1 BFS17WH6327XTSA1 BFS19,215 BFS19,235 BFS-1A-05 BFS-1A-05C BFS-1A-05E BFS-1A-12 BFS-1A-12C BFS-1A-12E