BFT92/INF

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BFT92/INF 技术参数

BFT92,215 功能描述:TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 14mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFT46,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:200μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.2V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BFT25A,215 功能描述:TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:32mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500μA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6.5mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFT25,215 功能描述:TRANS RF NPN 5V 2.3GHZ SOT23-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:2.3GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:30mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6.5mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFS540,115 功能描述:TRANS RF NPN 15V 9GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BFU520WX BFU520XAR BFU520XRR BFU520XRVL BFU520XVL BFU520YF BFU520YX BFU530AR BFU530AVL BFU530R BFU530VL BFU530WF BFU530WX BFU530XAR BFU530XRR BFU530XRVL BFU530XVL BFU550AR