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BFU540,215

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BFU540,215 技术参数
  • BFU530XVL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1.8GHz 增益:16.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:10,000 BFU530XRVL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1.8GHz 增益:16.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-143R 供应商器件封装:SOT-143R 标准包装:10,000 BFU530XRR 功能描述:TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-143R 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.65dB @ 900MHz 增益:21dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-143R 供应商器件封装:SOT-143R 标准包装:1 BFU530XAR 功能描述:TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.7dB @ 900MHz 增益:22dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BFU530WX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.6dB @ 900MHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:1 BFU550XVL BFU580GX BFU580QX BFU590GX BFU590QX BFU610F,115 BFU630F,115 BFU660F,115 BFU668F,115 BFU690F,115 BFU710F,115 BFU725F,115 BFU725F/N1,115 BFU730F,115 BFU730LXZ BFU760F,115 BFU768F,115 BFU790F,115
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