BGA7X10-ZIF-ADPT

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封装
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价格
说明
操作

BGA7X10-ZIF-ADPT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
SanDisk
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

BGA7X10-ZIF-ADPT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：刘春兰
电话：19129491434(微信同号)
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
10000
SanDisk
原装
2013+
-
授权分销现货热卖

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1

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功能描述
ADAPTER FOR BGA 7X10
RoHS
否
类别
连接器，互连式 >> 用于 IC 的插座，晶体管 - 适配器
系列
-
标准包装
1
系列
-
转换源（适配器端）
BGA
转换到（适配器端）
DIP
引脚数
32
其它名称
585-1005

BGA7X10-ZIF-ADPT 技术参数

BGA7X10-DIP32-ADPT 功能描述:IC Socket Adapter BGA To DIP 制造商:sandisk 系列:- 零件状态:过期转换自（适配器端）:BGA 转换至（适配器端）:DIP 引脚数:32 间距 - 配接:- 触头表面处理 - 配接:- 安装类型:- 端接:- 间距 - 柱:- 触头表面处理 - 柱:- 外壳材料:- 板材料:- 端接柱长度:- 材料可燃性等级:- 特性:- 额定电流:- 工作温度:- 触头材料 - 配接:- 触头材料 - 柱:- 触头表面处理厚度 - 配接:- 触头表面处理厚度 - 柱:- 标准包装:1 BGA7M1N6E6327XTSA1 功能描述:RF Amplifier IC LTE 1.8GHz ~ 2.2GHz TSNP-6-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售频率:1.8GHz ~ 2.2GHz P1dB:-7dBm 增益:13dB 噪声系数:0.6dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.4mA 测试频率:- 封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:TSNP-6-2 标准包装:1 BGA7L1N6E6327XTSA1 功能描述:RF Amplifier IC LTE 728MHz ~ 960MHz TSNP-6-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售频率:728MHz ~ 960MHz P1dB:-10dBm 增益:13.3dB 噪声系数:0.9dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.4mA 测试频率:- 封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:TSNP-6-2 标准包装:1 BGA7L1BN6E6327XTSA1 功能描述:IC RF FRONT END LNA 6TSNP 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售频率:716MHz ~ 960MHz P1dB:- 增益:13.6dB 噪声系数:1.8dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:4.9mA 测试频率:960MHz 标准包装:15,000 BGA7H1N6E6327XTSA1 功能描述:RF Amplifier IC LTE 2.3GHz ~ 2.69GHz TSNP-6-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售频率:2.3GHz ~ 2.69GHz P1dB:-8dBm 增益:12.5dB 噪声系数:0.6dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.7mA 测试频率:- 封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:TSNP-6-2 标准包装:1 BGA8V1BN6E6327XTSA1 BGA924N6BOARDTOBO1 BGA924N6E6327XTSA1 BGA925L6E6327XTSA1 BGA9X12-DIP32-ADPT BGA9X12-ZIF-ADPT BGA-BH-30 BGA-CSP-UG BGA-NA BGA-SPAT-L BGA-SPAT-S BGA-SPY BGAU1A10E6327XTSA1 BGAV1A10E6327XTSA1 BGB 420 E6327 BGB 540 E6327 BGB 707L7ESD E6327 BGB 741L7ESD E6327