BLF177C,112

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 VDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

BLF177C,112 技术参数

BLF177,112 功能描述:TRANSISTOR RF DMOS SOT121B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:N 通道频率:108MHz 增益:19dB 电压 - 测试:50V 额定电流:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:700mA 功率 - 输出:150W 电压 - 额定:125V 封装/外壳:SOT-121B 供应商器件封装:CRFM4 标准包装:20 BLF175,112 功能描述:TRANSISTOR RF DMOS SOT123A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:N 通道频率:108MHz 增益:20dB 电压 - 测试:50V 额定电流:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:30W 电压 - 额定:125V 封装/外壳:SOT-123A 供应商器件封装:CRFM4 标准包装:20 BLF174XRS,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:108MHz 增益:28.5dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:600W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1214B 供应商器件封装:SOT1214B 标准包装:20 BLF174XR,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:108MHz 增益:28.5dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:600W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1214A 供应商器件封装:SOT1214A 标准包装:20 BLF1721M8LS200U 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A 功率 - 输出:55W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF183XRU BLF184XRGJ BLF184XRGQ BLF184XRSU BLF184XRU BLF188XRGJ BLF188XRSU BLF188XRU BLF189XRBSU BLF189XRBU BLF2012LM37R2400A BLF202,115 BLF2043,112 BLF2043,135 BLF2043F,112 BLF2043F,135 BLF2045,112 BLF2324M8LS200PJ