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BLF642112

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BLF642112 技术参数

BLF642,112 功能描述:FET RF 65V 1.3GHZ SOT467C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:1.3GHz 增益:19dB 电压 - 测试:32V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:35W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标准包装:20 BLF640U 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ CDIP2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:700mW 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-538A 供应商器件封装:2-CDIP 标准包装:20 BLF578XRS,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 40mA 225MHz 23.5dB 1400W SOT539B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:225MHz 增益:23.5dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA 功率 - 输出:1400W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT539B 供应商器件封装:SOT539B 标准包装:20 BLF578XR,112 功能描述:FET RF 2CH 110V 225MHZ SOT539A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:225MHz 增益:23.5dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA 功率 - 输出:1400W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标准包装:20 BLF578,112 功能描述:TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:225MHz 增益:24dB 电压 - 测试:50V 额定电流:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA 功率 - 输出:1200W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标准包装:20 BLF6G10-45,112 BLF6G10-45,135 BLF6G10L-260PBM,11 BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PRN,11 BLF6G10L-260PRN:11 BLF6G10L-40BRN,112 BLF6G10L-40BRN,118 BLF6G10LS-135R,112 BLF6G10LS-135R,118 BLF6G10LS-135RN,11 BLF6G10LS-135RN:11 BLF6G10LS-160,112 BLF6G10LS-160,118 BLF6G10LS-160RN,11 BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118