BLF6G10LS-200RN@112

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BLF6G10LS-200RN@112 技术参数

BLF6G10LS-200RN:11 功能描述:FET RF 65V 891.5MHZ SOT-502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:20dB 电压 - 测试:28V 额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:40W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G10LS-200RN,11 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz ~ 891.5MHz 20dB 40W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:20dB 电压 - 测试:28V 额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:40W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G10LS-200R,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 40W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:- 增益:- 电压 - 测试:28V 额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:40W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G10LS-200R,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 40W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:- 增益:- 电压 - 测试:28V 额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:40W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G10LS-200,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:871.5MHz 增益:20.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:40W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G15L-40BRN,118 BLF6G15L-40RN,112 BLF6G15L-40RN,118 BLF6G15L-500H,112 BLF6G15LS-250PBRN, BLF6G15LS-250PBRN: BLF6G15LS-40RN,112 BLF6G15LS-40RN,118 BLF6G15LS-500H,112 BLF6G20-110,112 BLF6G20-180PN,112 BLF6G20-180RN,112 BLF6G20-230P BLF6G20-230PRN,112 BLF6G20-230PRN,118 BLF6G20-40,112 BLF6G20-45,112 BLF6G20-45,135