BLF6G38-10,112

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说明
操作

BLF6G38-10,112
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Ampleon USA Inc.
CDFM2
17+
-
全新原装现货

BLF6G38-10,112
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
NXP
18+
-
原装现货，优势供应

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

BLF6G38-10,112 技术参数

BLF6G27S-45,135 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 350mA 2.7GHz 18dB 7W CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.7GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:7W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608B 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:300 BLF6G27S-45,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 350mA 2.7GHz 18dB 7W CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:LDMOS 频率:2.7GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:7W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608B 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:100 BLF6G27S-45,112 功能描述:FET RF 65V 2.7GHZ SOT608B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束晶体管类型:LDMOS 频率:2.7GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:7W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608B 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:20 BLF6G27LS-75,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 9W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:- 增益:- 电压 - 测试:28V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA 功率 - 输出:9W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G27LS-75,112 功能描述:FET RF 65V SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:- 增益:- 电压 - 测试:28V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA 功率 - 输出:9W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G38LS-50,118 BLF6G38S-25,112 BLF6G38S-25,118 BLF6H10L-160,112 BLF6H10LS-160,112 BLF6H10LS-160,118 BLF7G10L-250,112 BLF7G10L-250,118 BLF7G10LS-250,112 BLF7G10LS-250,118 BLF7G15LS-200,112 BLF7G15LS-200,118 BLF7G15LS-300P,112 BLF7G15LS-300P,118 BLF7G20L-200,112 BLF7G20L-200,118 BLF7G20L-250P,112 BLF7G20L-250P,118