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BLF879P112

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BLF879P112 技术参数
  • BLF879P,112 功能描述:TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT539A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:21dB 电压 - 测试:42V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A 功率 - 输出:200W 电压 - 额定:104V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标准包装:20 BLF878,112 功能描述:TRANSISTOR RF LDMOS SOT979A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:21dB 电压 - 测试:40V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:300W 电压 - 额定:89V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:20 BLF872,112 功能描述:TRANSISTOR RF LDMOS SOT800 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:LDMOS 频率:- 增益:- 电压 - 测试:32V 额定电流:41A 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA 功率 - 输出:300W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT800 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:15 BLF871S,112 功能描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT467B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:19dB 电压 - 测试:40V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:89V 封装/外壳:SOT467B 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLF871,112 功能描述:FET RF 89V 860MHZ SOT467C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:19dB 电压 - 测试:40V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:89V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标准包装:20 BLF888AS,112 BLF888B,112 BLF888BS,112 BLF888DSU BLF888DU BLF888ESU BLF888EU BLF898SU BLF898U BLF8G09LS-270GWJ BLF8G09LS-270GWQ BLF8G09LS-270WJ BLF8G09LS-270WU BLF8G09LS-400PGWJ BLF8G09LS-400PGWQ BLF8G09LS-400PWJ BLF8G09LS-400PWU BLF8G10L-160,112
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