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BLP10H630PGY

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功能描述
RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
制造商
ampleon usa inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
晶体管类型
LDMOS
频率
1GHz
增益
18dB
电压 - 测试
50V
额定电流
1.4μA
噪声系数
-
电流 - 测试
20mA
功率 - 输出
30W
电压 - 额定
110V
封装/外壳
SOT-1224-2
供应商器件封装
4-HSOP
标准包装
100

BLP10H630PGY 技术参数

BLP10H6120PY 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4μA 噪声系数:- 电流 - 测试:80mA 功率 - 输出:120W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1223-2 供应商器件封装:4-HSOPF 标准包装:100 BLP10H6120PGY 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4μA 噪声系数:- 电流 - 测试:80mA 功率 - 输出:120W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1224-2 供应商器件封装:4-HSOP 标准包装:100 BLP10H610Z 功能描述:FET RF 2CH 104V 860MHZ 12HVSON 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:860MHz 增益:22dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:104V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:12-HVSON（5x6）标准包装:1 BLP10H610AZ 功能描述:FET RF 2CH 104V 860MHZ 12HVSON 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:860MHz 增益:22dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:104V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:12-HVSON（5x6）标准包装:1 BLP10H605Z 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 30mA 860MHz 22.4dB 5W 12-HVSON (5x6) 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:860MHz 增益:22.4dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:5W 电压 - 额定:104V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:12-HVSON（5x6）标准包装:500 BLP25M710Z BLP27M810Z BLP30-1005G BLP30-1012G BLP30-1024G BLP30-3000G BLP35M805Z BLP40-1005G BLP40-1012G BLP40-1024G BLP40-3000G BLP55-1005 BLP55-1005G BLP55-1012G BLP55-1024 BLP55-1024G BLP55-3000G BLP55-3300