BPW83/S186P

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BPW83/S186P 技术参数

BPW83 功能描述:Photodiode 950nm 130° Radial, Side View 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效波长:950nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:790nm ~ 1050nm 二极管类型:引脚不同 nm 时的响应度:- 响应时间:- 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 暗（典型值）:2nA 有效面积:7.5mm2 视角:130° 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:径向，侧视图标准包装:4,000 BPW82 功能描述:Photodiode 950nm 100ns 130° 2-DIP 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效波长:950nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:790nm ~ 1050nm 二极管类型:引脚不同 nm 时的响应度:- 响应时间:100ns 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 暗（典型值）:2nA 有效面积:7.5mm2 视角:130° 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:2-DIP 标准包装:4,000 BPW77NB 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN TO-18 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:850nm 视角:20° 功率 - 最大值:250mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐标准包装:1,000 BPW77NA 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN TO-18 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:850nm 视角:20° 功率 - 最大值:250mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐标准包装:1,000 BPW76B 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN TO-18 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:850nm 视角:80° 功率 - 最大值:250mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐标准包装:1,000 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 43 BPX 43-3/4 BPX 43-4 BPX 43-5 BPX 48 BPX 61 BPX 65 BPX 80 BPX 81 BPX 81-2/3 BPX 81-3 BPX 81-3/4 BPX 81-4 BPX 82 BPX 83 BPX 84