BPWB6AT

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BPWB6AT 技术参数

BPW96C 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波长:850nm 视角:40° 功率 - 最大值:150mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 BPW96B 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波长:850nm 视角:40° 功率 - 最大值:150mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 BPW96 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波长:850nm 视角:40° 功率 - 最大值:150mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 BPW85C 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波长:850nm 视角:50° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:5,000 BPW85B 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波长:850nm 视角:50° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:5,000 BPX 61 BPX 65 BPX 80 BPX 81 BPX 81-2/3 BPX 81-3 BPX 81-3/4 BPX 81-4 BPX 82 BPX 83 BPX 84 BPX 85 BPX 86 BPX 87 BPX 88 BPX 89 BPX43-4/5 BPXCHK