BR36 肖特基二极管

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BR36 肖特基二极管技术参数

BR36 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole BR-3 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:3A 安装类型:通孔封装/外壳:4-方形，BR-3 供应商器件封装:BR-3 标准包装:50 BR35H640FJ-WCE2 功能描述:电可擦除可编程只读存储器电可擦除可编程只读存储器 Serial-SPI 64Kb RoHS:否制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 BR35H128F-WCE2 功能描述:IC EEPROM 128KBIT 5MHZ 8SOP 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:128Kb （16K x 8）时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 BR35H128FJ-WCE2 功能描述:IC EEPROM 128KBIT 5MHZ 8SOP 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:128Kb （16K x 8）时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP-J 标准包装:1 BR3510W-G 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole BR-W 制造商:comchip technology 系列:- 包装:托盘零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1000V 电流 - DC 正向（If）:35A 安装类型:通孔封装/外壳:4-方形，BR-W 供应商器件封装:BR-W 标准包装:50 BR3C16UC BR3C1AC BR3C1UC BR3C20AC BR3C20UC BR3C25AC BR3C25UC BR3C2AC BR3C2UC BR3C30AC BR3C30UC BR3C32AC BR3C32UC BR3C35UC BR3C3AC BR3C3UC BR3C40AC BR3C40UC