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BS-SA7024

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  • BS-SA7024
    BS-SA7024

    BS-SA7024

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Rose Bopla

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,原装正品

  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
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  • 功能描述
  • SCREW COVERS DARK GRAY
  • RoHS
  • 类别
  • 盒,外壳,支架 >> 箱 - 配件
  • 系列
  • BOS Streamline
  • 3D 型号
  • ESSMF.stp
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • Eclipse
  • 附件类型
  • 支脚
  • 适用于相关产品
  • Eclipse 系列
BS-SA7024 技术参数
  • BSS87L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):240V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 260mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS87H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):240V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 260mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 BSS87H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):240V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 260mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):97pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS87E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):240V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 260mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:P-SOT89-4 标准包装:1 BSS87E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):240V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 260mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:P-SOT89-4 标准包装:1 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA BST-225 BST-256P BST-272P+16 BST-303 BST-324 BST-352P BST-357 BST39,115 BST39TA BST40TA BST-492 BST-5/250-D48-C
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