BS108，126全国供应商 BS108，126资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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封装
批号
价格
说明
操作

BS108,126
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PHI
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BS108,126
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PHI
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BS108,126
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PHI
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BS108,126
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-92-3
18+
-
MOSFET N-CH 200V 300...

BS108,126
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
TO-92-3
17+
-
全新原装现货

BS108,126
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2300
NXP
ROHS
13+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

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功能描述
MOSFET AMMORA MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BS108，126 技术参数

BS107PSTZ 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:E-Line-3 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）标准包装:2,000 BS107PSTOB 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:E-Line-3 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）标准包装:2,000 BS107PSTOA 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:E-Line-3 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）标准包装:2,000 BS107P 功能描述:MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:4,000 BS107G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:250mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 BS-1225-PC BS-125.000MBC-T BS-125.000MCC-T BS12I BS12I-22 BS12I-HD-24AWG BS12I-MC BS12I-NICAD BS12T BS12T-HD BS12T-MC BS1301-7R BS14-C BS14-E BS14-L BS14-M BS14P-SHF-1AA(LF)(SN) BS-150.000MBC-T